Caracteristicile produsului Placii de tetrafluorura de sodiu

Materia primă a plăcii PTFE este realizată din rășină PTFE suspendată prin turnare. Conform procesului de producție, acesta este împărțit în două tipuri: placă turnată și placă turnată. Dintre materialele plastice cunoscute, PTFE are cea mai bună rezistență chimică la coroziune și proprietăți dielectrice, fără îmbătrânire, fără aderență, iar scara PTFE poate fi folosită la o temperatură de -180 grade până la +280 grade în condiții de gol. . Are un coeficient de frecare printre materialele solide cunoscute.
Metoda de presare și sinterizare la rece a tehnologiei de prelucrare a plăcilor PTFE este compusă în principiu din trei etape: preformare, sinterizare și răcire.
① Preformarea constă în adăugarea uniformă a rășinii cernute în cavitatea matriței, în funcție de cantitatea necesară de produs, la presarea la rece a semifabricatului. Pentru produsele cu direcția de presiune complet consistentă și grosimea peretelui, materialul trebuie adăugat dintr-o dată; pentru produsele cu forme mai complexe, pulberea necesară poate fi adăugată în cavitatea matriței în porții, iar cantitatea de pulbere adăugată de fiecare dată trebuie adaptată la volumul părții din cavitatea matriței pe care o umple și trebuie să fie mai multe forme pozitive. folosit pentru presarea pulberii în straturi.
② Sinterizarea este procesul de topire a particulelor de politetrafluoretilenă într-un întreg.
Este un proces cheie în procesul de topire a particulelor de politetrafluoretilenă într-un întreg. Calitatea sinterizării afectează direct proprietățile mecanice ale produsului. Sinterizarea este în general încălzită în aer în stare liberă. Există, de asemenea, sinterizare sub protecție cu azot sau sinterizare prin presare la cald.
③ Răcirea Procesul de răcire este procesul de transformare a macromoleculelor din starea amorfă în starea cristalină. Viteza de răcire a produsului după sinterizare determină cristalinitatea produsului, afectând astfel proprietățile fizice și mecanice ale produsului.